“光刻胶材料研发”专辑正式出版—《应用化学》2021年第9期

光刻工艺的发展主要依靠光源波长的不断缩小，从g线（436 nm）、i线（365 nm）、KrF（248 nm）、ArF（193 nm）再到如今的极紫外（EUV，13.5 nm），集成电路的制程工艺在不断进步，光刻胶也随之不断更新换代。

光刻胶由成膜树脂、感光剂、溶剂和添加剂等组成，是利用光化学反应进行图像转移的媒体。目前，光刻胶市场呈寡头垄断局面，核心技术由日本、美国等国家牢牢掌控，其所占市场份额超过85%。

当今，我国光刻胶整体研发生产水平不高，与国外先进光刻胶产品相比，至少落后两到三代。近年来，随着半导体行业向国内转移，我国对光刻胶的需求持续增大。虽然目前印刷线路板（PCB）光刻胶和液晶显示屏（LCD）光刻胶已经实现部分国产化，但高端半导体光刻胶属于关键核心技术，尚未实现国产化。